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Verfahren zur maskenlosen Formation von Metall-Nanostrukturen in duennen dielektrischen Schichten mittels Bestrahlung mit ultrakurzen Laserimpulsen

Maskless process for forming metallic nanostructure in thin dielectric layers uses ultrashort wavelength laser pulses.
 
: Graener, H.; Kaempfe, M.; Seifert, G.; Lange, J.; Heilmann, A.; Kiesow, A.

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DE 2000-10064456 A: 20001221
DE 2000-10064456 A: 20001221
DE 10064456 A1: 20020704
B82B0003
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IWM ()

Abstract
Leistungsfaehige elektronische Bauteile erfordern immer kleinere, elektrisch leitende Strukturen mit Abmessungen im Nanometerbereich, deren Fertigung mittels der optischen Lithographie in einem aufwendigen Mehrschrittprozess unter Einsatz spezieller photoempfindlicher Schichten erfolgt. Die so erzeugten Strukturen sind in ihrer Dimension und ihrer Funktion festgelegt. Strukturen mit anderen geometrischen Abmessungen koennen nur mittels neuer Masken hergestellt werden. Unter Umgehung der aufwendigen und kostenintensiven Maskenherstellung sollen Strukturen im Nanometerbereich in einem einzelnen Fertigungsschritt erzeugt und jede geforderte Bauelementestruktur gefertigt werden. Zur Erzeugung von Strukturen in Nanometerbereich werden duenne Schichten, bestehend aus Mehrlagenschichtsystemen dielektrischer Schichten mit darin befindlichen Metallnanopartikeln oder duennen Metallschichten, mit ultrakurzen Laserimpulsen in Fernfeldanordnung bestrahlt, wodurch geordnete Strukuren mit charakteristischen Strukturbreiten im Submikrometerbereich, insbesondere Strukturbreiten, die unterhalb der Wellenlaenge des verwendeten Lasers liegen, erzeugt werden. Das Verfahren dient der kostenguenstigen Herstellung elektronischer Bauelemente.

 

DE 10064456 A UPAB: 20020906 NOVELTY - A maskless process for forming metallic nanostructures in thin dielectric layers comprises irradiating a multilayer dielectric containing metallic nanoparticles or thin metal layers with ultrashort laser pulses in an infinite field arrangement with a structure breadth not greater than the laser wavelength. USE - In forming metallic nanostructures in thin dielectric layers (claimed) ADVANTAGE - No complex masking processes are needed, the optics are simple, either the laser or target can be moved and complex structures can be formed.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-75547.html