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Verfahren zur Herstellung eines Duennschichtsystems

The thin layer system is formed using a substrate which is supplied with a bias voltage while the layers of different materials are sputtered on to it in sequence to give smooth surfaces and a thin interdiffusion zone between them.
 
: Feigl, T.; Yulin, S.; Stoeckl, W.; Kaiser, N.

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DE 2000-10011649 A: 20000228
DE 2000-10011649 A: 20000228
DE 10011649 C1: 20010927
C23C0014
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IOF ()

Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Duennschichtsystems, bestehend aus mindestens zwei Schichten aus unterschiedlichen Materialien, die uebereinanderliegend durch Sputtern auf ein Substrat aufgebracht werden, vorgeschlagen. An das Substrat wird eine BIAS-Spannung angelegt, welche waehrend des Aufbringens zumindest einer Schicht in Abhaengigkeit von der Dicke dieser Schicht veraendert wird. Hierdurch kann erreicht werden, dass einerseits die Interdiffusionszone mit der zuvor gebildeten Schicht moeglichst schmal ausgebildet wird, waehrend andererseits am Ende des Schichtbildungsvorgangs eine moeglichst glatte Schichtoberflaeche erhalten wird.

 

DE 10011649 C UPAB: 20011018 NOVELTY - To form a thin layer system with at least two layers of different materials, they are developed over each other by sputtering on to a substrate which has an applied bias voltage. The bias voltage is varied at the substrate while at least one layer is deposited, according to the layer thickness. The two materials for the layers are molybdenum and silicon. The bias voltage is varied at 0-200 V. USE - The technique is for the development of a thin layer system, such as for an optical component for use in an extreme ultra violet (EUV) spectrum range with wavelengths of 10-100 nm. ADVANTAGE - The method gives a polishing to the layer surfaces and prevents an undesired thickness in the interdiffusion zone between the layers.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-69813.html