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Einrichtung zum Magnetronzerstaeuben

Device for magnetron sputtering has an outer plasma electrode with a first potential arranged between a target and a counter electrode with a second potential.
 

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DE 1999-19947932 A: 19990928
DE 1999-19947932 A: 19990928
DE 19947932 C1: 20010426
C23C0014
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Magnetronzerstaeuben, die im Wesentlichen auf einem Vakuumflansch angeordnet ist, der in der Kammerwand einer Vakuumkammer befestigt werden kann. Die Einrichtung besteht aus mindestens einem Target sowie einer Gegenelektrode, die beide innerhalb der Vakuumkammer angeordnet sind, und ausserhalb der Vakuumkammer mindestens einem hinter dem Target angeordneten Magnetsystem sowie einer Stromversorgungseinrichtung. Zwischen dem Target (1) und der Gegenelektrode (10) ist eine aeussere Plasmaelektrode (9) vorhanden, die an ein erstes wahlfreies Potential gelegt werden kann, die Gegenelektrode (10) kann an ein zweites wahlfreies Potential gelegt werden, im Zentrum des Targets (1) ist eine innere Plasmaelektrode (8) angeordnet, die an ein drittes wahlfreies Potential gelegt werden kann, und auf dem Vakuumflansch (6) ist eine Schirmelektrode (11) vorhanden, welche das Target (1), die Gegenelektrode (10), die aeussere Plasmaelektrode (9) sowie die innere Plasmaelektrode (8) umschliesst und die an ein viertes wahlfreies Potential gelegt werden kann. An der inneren Plasmaelektrode (8) und/oder der aeusseren Plasmaelektrode (9) sind Gasauslassoeffnungen (12, 13) vorhanden. An der inneren Plasmaelektrode (8) und/oder der aeusseren Plasmaelektrode (9) ueberdecken Plasmablenden (14, 15) die jeweiligen Spalten (35, 34) zum Target.

 

DE 19947932 C UPAB: 20010515 NOVELTY - Device has an outer plasma electrode (9) with a first potential arranged between a target (1) and a counter electrode (10) with a second potential. An inner plasma electrode (8) with a third potential is arranged in the center of the target within the target region limited by the erosion zone. DETAILED DESCRIPTION - A screening electrode (11) with a forth potential open to the substrate is arranged on a vacuum flange (6) and surrounds the target, counter electrode, outer plasma electrode and inner plasma electrode. A number of gas outlet openings (12,13) are located on the inner plasma electrode and/or the outer plasma electrode. Plasma screens are located on the inner and/or the outer plasma electrodes to cover the gaps (34,35) to the target. USE - For magnetron sputtering. ADVANTAGE - Long term stable thin insulating layers can be produced on substrates.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-67506.html