Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Einrichtung zum Magnetronzerstaeuben

Apparatus for magnetron sputtering comprises targets surrounded by a plasma electrode open to the substrate and peripheral to its sputtering surface.
 
: Frach, P.; Goedicke, K.; Holfeld, A.; Gottfried, C.

:
Frontpage ()

DE 1999-19947935 A: 19990928
DE 1999-19947935 A: 19990928
DE 19947935 A1: 20010329
C23C0014
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Magnetronzerstaeuben, die im Wesentlichen auf einem Vakuumflansch angeordnet ist, der in der Kammerwand einer Vakuumkammer befestigt werden kann. Die Einrichtung besteht innerhalb der Vakuumkammer aus mindestens zwei Targets und ausserhalb der Vakuumkammer zugehoerig zu jedem Target aus je einem Magnetsystem und einer gemeinsamen Stromversorgungseinrichtung. Jedes Target (1, 2) ist peripher zu seiner Zerstaeubungsoberflaeche von einer zum Substrat (27) hin offenen Plasmaelektrode (9, 10) umgeben, die auf ein wahlfreies Potential gelegt werden kann. Im Bereich zwischen dem Target (1, 2) und der Plasmaelektrode (9, 10) oder direkt an der Plasmaelektrode (9, 10) sind Gasauslassoeffnungen (13) vorhanden, die mit mindestens einer Gaszufuehrungseinrichtung (21) verbunden sind.

 

DE 19947935 A UPAB: 20010508 NOVELTY - Apparatus for magnetron sputtering comprises targets (1,2) surrounded by a plasma electrode (9,10) open to the substrate (27) and peripheral to its sputtering surface. A selective potential can be applied to the electrode. A number of gas outlet openings (13) are provided between the targets and the electrode or directly on the electrode, the openings being connected to a gas feed device (21). DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: At least one part of the plasma electrode protrudes over the sputtering surface of the targets in the direction towards the substrate by an amount that corresponds to a quarter of the distance between the targets and the substrate. USE - Used for magnetron sputtering for depositing thin layers. ADVANTAGE - A suitable potential of the electrode can be achieved by insulation of the electrode against a vacuum flange so that a floating potential can be adjusted.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-67505.html