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Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers

Process for subdividing a wafer used in the production of integrated circuits comprises forming a trench on one side of a wafer, fixing a detachable intermediate support, dry etching to form circuit chips, and removing the chips.
 
: Klumpp, A.; Hacker, E.; Feil, M.; Landesberger, C.

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EP 1999-112540 A: 19990701
DE 1999-19962763 A: 19991223
WO 2000-EP6132 A: 20000630
WO 2000-EP5772 A: 20000621
EP 2000-943860 A: 20000621
EP 2000-945856 AW: 20000630
DE 19962763 C2: 20010726
EP 1192657 B1: 20030319
EP 1192659 B1: 20030827
H01L0021
H01L0025
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Bei einem Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers, der eine Mehrzahl von einzelnen Schaltungsstrukturen aufweist, wird zunaechst ein Graben zwischen zumindest zwei Schaltungsstrukturen auf einer Seite des Wafers definiert. Anschliessend wird der Graben bis zu einer bestimmten Tiefe ausgefuehrt. Hierauf wird ein wieder loesbarer Zwischentraeger an der einen Seite des Wafers befestigt, um dann den Wafer von der anderen Seite aus trockenzuaetzen, so dass Schaltungschips erhalten werden, die nur noch ueber den Zwischentraeger miteinander verbunden sind. Anschliessend werden die Schaltungschips von dem Zwischentraeger entfernt. Durch dieses Verfahren werden mechanische Beeintraechtigungen beim Vereinzeln der Schaltungschips wesentlich reduziert, was zum einen die Herstellung von unter 50 m dicken Schaltungschips ermoeglicht, und was zum anderen zu mechanisch im wesentlichen integren Schaltungschips fuehrt.

 

WO 200103180 A UPAB: 20010323 NOVELTY - Process for subdividing a wafer comprises forming a trench on one side of a wafer, fixing a detachable intermediate support, dry etching to form circuit chips, and removing the chips. DETAILED DESCRIPTION - Process for subdividing a wafer (10) having a number of circuit structures comprises: defining a trench (14) between at least two circuit structures on one side of the wafer; forming a trench up to a prescribed depth (d); fixing a detachable intermediate support (16a, 16b) consisting of a fixed intermediate support substrate and an adhesive medium on the side of the wafer; dry etching the wafer from the other side to form circuit chips (18, 20, 22, 24); and removing the chips from the support by reducing the adhesive strength of the adhesive medium. Preferred Features: The wafer is made of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs) or another III-V semiconductor. USE - In the production of integrated circuits. ADVANTAGE - Mechanical damages that might occur when the circuit chips are detached are reduced.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-67452.html