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Verfahren zur Herstellung von monolithisch integrierten Sensoren

Monolithically integrated sensor, especially a pressure sensor, is produced by semiconductor substrate bonding to a support such that electrical structures are aligned with a support opening.
 
: Buchner, R.; Meyer, M.

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DE 1998-19851055 A: 19981105
DE 1998-19851055 A: 19981105
DE 19851055 C2: 20010301
H01L0049
B81B0003
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines monolithisch integrierten Sensors werden zunaechst die zur Aufnahme eines Sensorsignals erforderlichen Strukturen in und/oder auf einer ersten Hauptoberflaeche eines Halbleitersubstrats erzeugt. Nachfolgend wird die erste Hauptoberflaeche des Halbleitersubstrats mit einer Hauptoberflaeche eines Hilfssubstrats verbunden. Im Anschluss wird das Halbleitersubstrat von einer der ersten Hauptoberflaeche gegenueberliegenden zweiten Hauptoberflaeche her geduennt. Die durch die Duennung erzeugte Hauptoberflaeche des Halbleitersubstrats wird mit einer ersten Hauptoberflaeche eines Traegersubstrats verbunden, derart, dass die elektrischen Strukturen mit einer in dem Traegersubstrat gebildeten Ausnehmung ausgerichtet sind. Abschliessend wird das Hilfssubstrat von der ersten Hauptoberflaeche des Halbleitersubstrats entfernt.

 

DE 19851055 A UPAB: 20000630 NOVELTY - Monolithically integrated sensor production involves bonding a thinned semiconductor substrate (2) to a support (18) so that substrate electrical structures (4) are aligned with a support opening (20). DETAILED DESCRIPTION - A monolithically integrated sensor is produced by: (a) producing sensor signal reception electrical structures (4) in and/or on the front face of a semiconductor substrate (2); (b) bonding the semiconductor substrate front face to an auxiliary substrate; (c) thinning the semiconductor substrate (2) at its back face; (d) bonding the semiconductor substrate back face to a support substrate (18) such that the electrical structures (4) are aligned with an opening (20) in the support substrate (18); and (e) removing the auxiliary substrate. USE - Especially for producing monolithically integrated pressure sensors having both micromechanical and electronic components. ADVANTAGE - The sensors are produced economically using standard industrial complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and bonding equipment without contamination and without the need for expensive protection of the electronic structures so that high yields are achieved.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-63528.html