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Title
Schaltungsanordnung und Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma
Date Issued
2000
Author(s)
Junghaehnel, M.
Handt, K.
Goedicke, K.
Patent No
1998-19825056
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma im Freqeunzbereich von 20 kHz bis 100 kHz. Die Aufgabe, unter anderem die Leistung unipolar oder bipolar gepulster Plasmen unter Verwendung bekannter Bauelemente zu erhoehen, wird erfindungsgemaess dadurch geloest, dass n- und p-leitende MOSFET speziell zusammengeschaltet sind und die auf diese Art erzeugten Energien zur Ansteuerung von Hochleistungs-IGBT verwendet werden und damit eine gepulste Energieeinspeisung in die Plasmaquelle realisiert werden kann.
DE 19825056 C UPAB: 20000313 NOVELTY - The circuit has a MOSFET end stage as a driver for a high power IGBT (1), whereby n-conducting and p-conducting MOSFETs (2,3) are connected to form a complementary source follower. Extremely induction-free leads with maximum inductance of 5 nH are used. The MOSFET switch-on and off times are less than or equal to 35 ns, the maximal drain current is 40 A, the maximum gate threshold voltage is 2 Volts, the maximum internal inductance of the backup capacitors (10) is 10 nH and the sum 20 nH and the input capacitance of the complementary source follower between the gate connections (6) and reference potential is not greater than 1.5 nF. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method of supplying electrical energy to a plasma of a glow discharge. USE - For supplying electrical energy to a plasma. ADVANTAGE - High power can be fed to a unipolar or bipolar pulsed plasma with a switching region in the range from 20 to 100 kHz with a conventional IGBT switch.
Language
de
Patenprio
DE 1998-19825056 A: 19980604