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Verfahren zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelements und elektrisches Bauelement

Contacting electric component at its rear side.
 
: Klumpp, A.

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Frontpage ()

DE 1998-19816245 A: 19980411
DE 1998-19816245 A: 19980411
WO 1999-DE1059 A: 19990401
DE 19816245 A1: 19991021
H01L0021
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betriffte ein Verfahren zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelements mittels Rueckseitenkontakten sowie ein elektrisches Bauelement mit mindestens einem Rueckseitenkontakt, der durch dieses Verfahren hergestellt ist. Derartige Rueckseitenkontakte sind bei Bauelementen vorteilhaft, bei denen eine weitgehend planare und buendige Oberflaeche ohne Bonddraehte im Oberflaechenbereich erforderlich ist. Moegliche Anwendungsbereiche sind Detektoranordnungen, bei denen derartige Bonddraehte zu Abschattungseffekten fuehren wuerden, oder ISFETs (ionenselektive Feldeffekttransistoren), bei denen man beispieslweise die Oberflaeche mit leicht reissenden Membranen oder Duennschichten von organischem Gewebe belegen moechte und entsprechend eine planare und buendige Oberflaeche benoetigt. Das erfindungsgemaesse Verfahren zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelements umfasst die Schritte zum Bereitstellen eines vollstaendig prozessierten Bauelements ohne Anschlussmetallisierung auf einem Halbleiter-Substrat, Ausbilden von mit elektrisch leitendem Material gefuellten Kontaktloechern in dem Halbleiter-Substrat, welche gegenueber dem Halbleiter-Substrat elektrisch isoliert sind und mit dem Bauelement elektrisch leitend verbunden sind, und Bereitstellen von Rueckseitenkontakten auf der Rueckseite des Halbleiter-Substrats, die in elektrischem Kontakt mit den Kontaktloechern stehen.

 

DE 19816245 A UPAB: 20000105 NOVELTY - In the semiconductor substrate are formed contact bores filled with electrically conductive material, with the bores insulated from the substrate, but are conductively coupled to the component. On the rear side of the substrate are formed contacts in electric contact with the contact bores. The formation of contact bores comprises lithographic defining and plasma etching of the contact bores. Typically the contact bores are filled with tungsten or copper. In the contact bores is deposited an insulating SiO2 film and an adhesive layer for the conductive material. USE - For detectors or ion sensitive FETs not using bond wires or component rear sides. ADVANTAGE - Simple and low-cost manufacturing of rear side contacts.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-63337.html