Fraunhofer-Gesellschaft

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Überblick und Haupttrends im Bereich Halbleitermaterialien und -technologien

 
: Kersten, G.
: Fraunhofer-Institut für Naturwissenschaftlich-Technische Trendanalysen -INT-, Euskirchen

Euskirchen, 1991, 43 S.
Neue Technologien, TP 3
Deutsch
Buch
Fraunhofer INT ()
compound semiconductor; Galliumarsenid; Halbleitermaterial; Halbleitertechnologie; microelectronic; Mikroelektronik; Quantenstruktur-Bauelement; quantum structured device; semiconducting material; semiconductor technology; silicon; Silizium; superlattice; Übergitter; Verbindungshalbleiter

Abstract
Der Bericht ist Bestandteil einer Technologievorausschau zum Themenbereich Mikroelektronik/Elektronik. Er basiert auf einer zusammenfassenden Auswertung einer größeren Zahl von übergreifenden technisch/wissenschaftlichen Zeitschriften sowie FuE-Hauszeitschriften/Ergebnisberichten aus Industrie und Forschung. Der Bericht gibt einen Überblick über den Stand und die relevanten Entwicklungen der Halbleitertechnologien unter besonderer Berücksichtigung des Materialaspektes, d.h. es werden die Technologien behandelt, die auf speziellen halbleitenden Werkstoffen aufbauen und ihre spezifischen Möglichkeiten und Probleme. Wesentliche Themen sind: Das z.Zt. am meisten etablierte Silizium mit der Bipolar-, MOSFET- und BICMOS-Technologie; das als Halbleitermaterial der Zukunft vielfach propagierte Gallium-Arsenid; die Klassen der Verbindungshalbleiter; als besonders resistente Materialien Silizium-Karbid und Diamant. An neuartigen Phänomenen und Begriffen werden erörtert: material tailoring, Überg itter, Nanometerstrukturen, ballistische und Quantenstruktur-Bauelemente, nichtleitende Metalle bzw. SIMIT-Effekt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-58204.html