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1993
Doctoral Thesis
Titel
Physikalisch-technologische Untersuchungen zu Kurzkanaltransistoren für die Megabittechnologie
Abstract
Hauptinhalt der vorliegenden Arbeit ist die Analyse eines weiterentwickelten lightly-doped-drain-(LDD)-MOSFET. Die minimale Kanallänge der Kurzkanaltransistoren beträgt 0,6...0.7mym bei einer gezeichneten Gatelänge von 1.0mym. Die Vorteile des LDD-Transistors bezüglich seiner guten technologischen Steuerbarkeit werden bezüglich der technologischen Haupteinflußgrößen wie Gateoxiddicke, LDD-n-Dotierung, Spacerlänge, Unterdiffusion der n-Gebiete umfangreich untersucht. Der Substratstrom wird als wichtigste technologische Bewertungsmöglichkeit ermittelt und für die Bewertung des weiterentwickelten LDD-Transistors eingesetzt. Die Bewertung des nMOS-FETs wird anhand der Ausgangskennlinie, Schwellspannung, Substratstromkennlinie, Subthreshold-Kennlinie, des punch-through-Verhaltens und des Bodyeffektes vorgenommen. Zusammenfassend wird eine Darstellung aller Transistorparameter gegeben, die mit dem neuen Herstellungsverfahren erreicht wurden.
ThesisNote
Chemnitz, TU, Diss., 1992