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Physikalisch-technologische Untersuchungen zu Kurzkanaltransistoren für die Megabittechnologie

 
: Raab, M.

Chemnitz, 1993, 113 S. : Abb.
Chemnitz, TU, Diss., 1992
Deutsch
Dissertation
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
Halbleiterbauelement; Halbleitertechnologie; Kurzkanaltransistor; LDD-MOSFET; MOS-FET; Schwellenspannung; transistor

Abstract
Hauptinhalt der vorliegenden Arbeit ist die Analyse eines weiterentwickelten lightly-doped-drain-(LDD)-MOSFET. Die minimale Kanallänge der Kurzkanaltransistoren beträgt 0,6...0.7mym bei einer gezeichneten Gatelänge von 1.0mym. Die Vorteile des LDD-Transistors bezüglich seiner guten technologischen Steuerbarkeit werden bezüglich der technologischen Haupteinflußgrößen wie Gateoxiddicke, LDD-n-Dotierung, Spacerlänge, Unterdiffusion der n-Gebiete umfangreich untersucht. Der Substratstrom wird als wichtigste technologische Bewertungsmöglichkeit ermittelt und für die Bewertung des weiterentwickelten LDD-Transistors eingesetzt. Die Bewertung des nMOS-FETs wird anhand der Ausgangskennlinie, Schwellspannung, Substratstromkennlinie, Subthreshold-Kennlinie, des punch-through-Verhaltens und des Bodyeffektes vorgenommen. Zusammenfassend wird eine Darstellung aller Transistorparameter gegeben, die mit dem neuen Herstellungsverfahren erreicht wurden.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-54435.html