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1991
Conference Proceeding
Titel
Numerische Simulation zur Optimierung der Prozeßparameter bei Laserkristallisation
Abstract
Simulation der Energiekopplung. Die Reflexion, Transmission eines homogenen Vielschichtsystems unter Lichteinfall wurde berechnet. In den einzelnen Schichten wird außerdem die pro Volumenelement und Zeiteinheit absorbierte Strahlungsenergie berechnet und dem Wärmesimulationsprogramm als Quellterm übergeben. Die effiziente Berechnung wurde durch eine einfache Näherung der Maxwellgleichungen für ebene homogene Schichten ermöglicht. Simulation der Wärmeleitung. Zur Lösung des dreidimensionalen Wärmeleitungsproblems wurde ein Programm nach dem expliziten Verfahren erstellt. Damit wurde der Einfluß des Deviceaufbaues auf das Temperaturprofil demonstriert. Zusätzlich wurden Experimente zur Implementierung eines impliziten Lösungsverfahrens angestellt. Die Schwierigkeit lag in dem unstetigen Verhalten der Koeffizienten der DGI beim Aufschmelzen des Siliziums. Es wurde gezeigt, daß bei einer Glättung der nicht differenzierbaren Kurven die Konvergenz eines Newton-Verfahrens gesichert werden kan n, wobei das resultierende lineare Gleichungssystem jedoch schlecht konditioniert ist. Modell-Untersuchung über die Entstehung der Korngrenzendefekten. Eine Modell-Untersuchung über das facettierte Wachstum der Siliziumschicht bei der Rekristallisation wurde durchgeführt. Darauf aufbauend, ermöglicht eine Monte-Carlo-Simulation die mit der Form der Wachstumsfront zusammenhängenden Korngrenzenbildung bei beliebiger Temperaturverteilung zu beschreiben. Sowohl für die sogenannte beam-shaping-Technik als auch für den Einsatz der integrierten Absorber liefert die Simulation mit den Experimenten vergleichbare Ergebnisse. Basierend auf den Ergebnissen aus der Simulation wurde eine neue Methode namens Mikroabsorber zur Erhöhung des durchschnittlichen Abstandes zwischen den benachbarten Korngrenzen vorgeschlagen. Die ersten Experimente haben positive Resultate gezeigt.
Konferenz