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1993
Habilitation Thesis
Titel
Mehrlagenmetallisierung für hochintegrierte mikroelektronische Schaltungen
Abstract
Die Skalierung von mikroelektronischen Schaltungen zu immer kleineren Dimensionen wird sehr stark durch die Metallisierung, d. h. die Verbindung der Bauelemente auf der integrierten Schaltung beeinflußt. Die vorliegende Arbeit beschreibt alle Fertigungsprozesse für die Herstellung mehrlagiger Verbindungsebenen, die eine sehr kompakte Verdrahtung komplexer Schaltungen ermöglicht. Sie ist aus der praktischen Tätigkeit der CMOS-Prozeßentwicklung am Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme heraus entstanden. - Aufbauend auf einem typischen CMOS-Prozeß werden alle wichtigen Einzelprozesse zur Herstellung der Mehrlagenmetallisierung beschrieben, z.B. die Metallabscheidung und -strukturierung, die Photolithographie, die Abscheidung, Planarisierung und Ätzung von Isolarschichten. Gesamtprozesse werden vorgestellt. Untersuchungen zu Ausbeute und Zuverlässigkeit, sowie Betrachtungen zum Einsatz der Metallisierung in Schaltungen runden die Arbeit ab.
ThesisNote
Zugl.: Habil.- Schrift
Language
German