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Integrierte Prozeß- und Parametersimulation zur Modellierung von Halbleiterbauelementen für die Großintegration

Zugleich erschienen als Dissertation der Univ.-Gesamthochschule Duisburg.
 
: Stein, E.

Düsseldorf: VDI-Verlag, 1988, 216 S. : Abb.
Fortschritt-Berichte VDI, Reihe 9: Elektronik
ISBN: 3-486-20412-2
Deutsch
Buch
Fraunhofer IMS ()
CMOS-Prozeß; Finite-Boxes; JFET; Kurzkanal-Effekt; MOS-Transistor; Parametersimulation; Poisson-Gleichung; Prozeßsimulation

Abstract
In dieser Arbeit wird ein vielseitiges, ein- und zweidimensionales Prozess- und Parametersimulationssystem fuer in Silizium integrierte Bauelemente vorgestellt. - Es enthaelt universelle ein- und zweidimensionale Prozesssimulatoren mit relativ einfachen Prozessmodellen, die die ueblichen Standardtechnologien mit guter Genauigkeit beschreiben. - Zur Ermittlung von Ladungstraegerprofilen aus den Ergebnissen der Prozesssimulation in Abhaengigkeit von angelegten Spannungen wird die Poisson-Gleichung fuer beliebige Strukturen ohne vereinfachende Annahmen in bezug auf die Bauelementegeometrie geloest. Aus den eindimensionalen Ladungstraegerprofilen kann eine grosse Zahl von Parametern integrierter Bauelemente, wie MOS-, Bipolar- und Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, Widerstaenden, Kondensatoren und Dioden bestimmt sowie durch zweidimensionale Simulation deren Geometrieabhaengigkeit untersucht werden. (IMS)

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-50196.html