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1995
Conference Paper
Titel
Versagensverhalten von einkristallinem Silizium an scharfen Kerben
Abstract
Das Versagen von scharf gekerbten Strukturen läßt sich dadurch beschreiben, daß der an der Kerbspitzende herrschende Kerbspannungsintensitätsfaktor (KSIF) A1 die Kerbzähigkeit A(1C) erreicht. Hierbei hängen Einheit und Größe von A(1C) vom Öffnungswinkel ab. Es werden drei Modelle vorgeschlagen, die die Abhängigkeit der Kerbzähigkeit vom Öffnungswinkel erklären. Die Ergebnisse der drei Modelle werden diskutiert und mit experimentellen Ergebnissen an einkristallinem Silizium verglichen.