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Verfahren zum Herstellen einer Silikatschicht in einer integrierten Schaltung und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Process and device for the production of a silicate layer in an integrated circuit
 
: Sigmund, H.; Klumpp, A.

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DE 1989-3937723 A: 19891113
DE 1989-3937723 A: 19891113
EP 1990-916234 A: 19901109
DE 3937723 C2: 19930304
EP 500615 B1: 19940914
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Eine Silikatschicht, die insbesondere als Zwischenoxidisolationsschicht in einer integrierten Schaltung zum Ausgleichen topographischer Unebenheiten dient, wird durch photoinduziertes Polymerisieren von Polysiloxan, Abscheiden einer Polysiloxanschicht und Umwandeln der Polysiloxanschicht in die Silikatschicht hergestellt. Erfindungsgemaess wird das photoinduzierte Polymerisieren von Polysiloxan bei einer ersten Temperatur und einem ersten Druck innerhalb eines ersten Raumes und das Abscheiden der Polysiloxanschicht bei einer zweiten, unterhalb der ersten Temperatur liegenden Temperatur und bei einem zweiten, unterhalb des ersten Druckes liegenden Druck innerhalb eines zweiten Raumes durchgefuehrt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-38857.html