Fraunhofer-Gesellschaft

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Verbundprojekt - Neue Dünnschichtverfahren durch "molecular engineering" metallorganischer Verbindungen. Teilvorhaben - Untersuchung der Plasmaparameter

 
: Weber, A.; Bringmann, U.; Nikulski, R.; Klages, C.-P.

Fellenberg, R. ; VDI-Technologiezentrum Physikalische Technologien, Düsseldorf:
Dünnschichttechnologien '92. Statusseminar. Berichte zu F+E-Projekten aus dem Förderbereich Physikalische Technologien des Bundesministeriums für Forschung und Technologie
Düsseldorf: VDI-Verlag, 1992 (VDI-TZ-Proceedings)
ISBN: 3-18-401249-2
S.110-119
Dünnschichttechnologien <1992, Fulda>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IST ()
aluminium; BCN-H; c-BN; CVD; ECR; Me-BCN-H; N-Trimethylamin-alan; N-Trimethylborazol; NF-Bias; Plasma-CVD; Trimethylaluminium

Abstract
Unter verschiedenen Plasmabedingungen wurde N- Trimethylborazol als Prekursor eingesetzt. Dabei konnte gezeigt werden, daß sich aus dieser Verbindung im Down-stream-ECR-Prozeß mit Argon als Plasmagas harte, transparente BCN:H-Schichten bei einer Substattemperatur von 150 Grad C abscheiden lassen. Mit einer Mischung aus Argon und Stickstoff als ECR-Plasmagas wurden Filme mit einem hohen Anteil an kubischem Bornitrid bei 800 Grad C erhalten. Bei Anwendung des Sputter/CVD-Prozesses konnten metallcarbid- und nitridhaltige BCN:HSchichten abgeschieden werden. Untersucht wurde auch die Plasma-CVD-Abscheidung von Aluminium aus Trimethyl-aluminium und N-Trimethylamin-alan. Hier konnte gezeigt werden, daß sich mit einer vorhergehenden Plasmabekeimung der Substrate die Oberflächenrauhigkeit einer wachsenden Al-Schicht erheblich verkleinern läßt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-38333.html