Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Subpicosecond carrier lifetimes in radiation-damaged GaAs.

Subpikosekunden-Lebensdauer von Ladungsträgern in strahlengeschädigtem GaAs
 

:

Applied Physics Letters 58 (1991), Nr.17, S.1881-1883 : Abb.,Lit.
ISSN: 0003-6951
ISSN: 1077-3118
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
carrier lifetimes; Ladungsträger; Lebensdauer; proton implantation; Protonen-Implantation; radiation-damaged GaAs; strahlengeschädigtes GaAs; subpicosecond resolution; Subpicosekunden-Auflösung; time-resolved photoconductivity; time-resolved reflectivity; zeitaufgelöste Photoleitfähigkeit; zeitaufgelöste Reflektivität

Abstract
We investigate the dependence of carrier lifetimes in radiation-damaged GaAs on proton implantation dose by means of time-resolved reflectivity and photoconductivity experiments with subpicosecond resolution. The carrier lifetimes decrease with increasing implantation dose at low implantation levels wheras beyond the "amorphization dose" a saturation at 0.5 ps can be observed due to a saturation of the defect density.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-35289.html