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Sub-nanosecond access time 2k sine-cosine ROM in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology

2k Sinus-Cosinus-ROM mit Zugriffszeiten im Subnanosekundenbereich in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT Technologie

: Thiede, A.; Bushehri, E.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.

DOI: 10.1049/el:19970278

	Electronics Letters 33 (1997), Nr.5, S.428-429 ISSN: 0013-5194

	Englisch
	Zeitschriftenaufsatz
	Fraunhofer IAF ()
	digital signal synthesis; digitale Signalsynthese; Festwertspeicher; GaAs-Technologie; GaAs technology; HEMT; integrated circuit; integrierter Schaltkreis; read-only-memory

Abstract
The design and performance of a 2kbit sine-cosine ROM lookup table in 0.3mu m gate length AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology are presented. A maximum clock frequency of 1.3GHZ is achieved resulting in a sub-nanosecond access time. The power consumption at supply voltages of +1.8 and -2V is about 2W.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-35275.html