Fraunhofer-Gesellschaft

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Structural characterization of local SIMOX-substrates

 
: Bentum, R.v.; Vogt, H.

International SOI Conference 1998. Proceedings
Piscataway, NJ: IEEE, 1998
ISSN: 1078-621X
ISBN: 0-7803-4500-2
ISBN: 0-7803-4501-0
ISBN: 0-7803-4502-9
S.49-50
International SOI Conference <1998, Stuart/Fla.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS ()
Fertigung; Kantenstruktur; Kristalldefekt; SIMOX-Technologie

Abstract
In dieser Arbeit werden vier unterschiedliche Methoden vorgestellt, lokale SOI-Substrate herzustellen. Als Grundlage dient die SIMOX-Technologie. Die Varianten werden hinsichtlich der resultierenden Kantenstruktur zwischen SOI- und Bulk-Bereich untersucht. Außerdem werden die Art und Dichte der Kristalldefekte imBulk-Bereich der Substrate ermittelt. Die Untersuchungen erfolgten mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und chemischem Defektätzen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-35094.html