Fraunhofer-Gesellschaft

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SCHOTTKY-DIODE.

 
: Smith, R.; Wennekers, P.

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DE 1987-3728135 A: 19870822
DE 1987-3728135 A: 19870822
EP 1988-907114 AW: 19880806
DE 3728135 C2: 19890817
EP 328594 B1: 19921028
H01L0029
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Eine Schottky-Diode besteht aus einem Substrat aus Gallium-Arsenid (5), auf das epitaktisch eine monokristalline mit Silizium dotierte Gallium-Arsenid-Schicht (6) aufgebracht ist. Zur Bildung eines Schottky-Kontaktes wird auf diese Schicht epitaktisch eine monokristalline Erbium-Arsenid-Schicht oder Ytterbium-Arsenid-Schicht (7) aufgebracht. Als Deckschicht folgt eine Gallium-Arsenid-Schicht (8) hoher Dotierung.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-32819.html