Publica
Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten. Schnelle thermische Oxidation von Silizium in N2O-Atmosphäre
| Seitzer, D. ; Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-, German Section; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-:
Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung 1993 : Vorträge der GME-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1993 (GME-Fachbericht 11)
ISBN: 3-8007-1934-7
S.97 |
| Fachtagung Mikroelektronik <1993, Dresden> |
|
| Deutsch |
| Konferenzbeitrag |
| Fraunhofer ISIT () |
Abstract
Mit Hilfe eines schellen thermischen Oxidationsprozesses von Silizium in N2O-Atmosphäre wurden ultradünne, leicht nitridierte SiO2-Schichten hergestellt. Dabei konnten erstmals Dickenuniformitäten im 2 %-Bereich erzielt werden. Oberflächenanalytische Untersuchungen ergaben eine Stickstoffkonzentration um 7 % an der Si/SiO2-Grenzfläche und eine wesentlich geringere Konzentration im SiO2-Volumen. Unter elektrischem Streß zeigten MOS (Metal Oxide Semiconductor)-Kondensatoren mit nitridiertem Gateoxid eine hohe Zuverlässigkeit.