Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Schnelle thermische Oxidation von Silizium in N2O-Atmosphäre

 

Seitzer, D. ; Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-, German Section; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-:
Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung 1993 : Vorträge der GME-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1993 (GME-Fachbericht 11)
ISBN: 3-8007-1934-7
S.97
Fachtagung Mikroelektronik <1993, Dresden>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer ISIT ()

Abstract
Mit Hilfe eines schellen thermischen Oxidationsprozesses von Silizium in N2O-Atmosphäre wurden ultradünne, leicht nitridierte SiO2-Schichten hergestellt. Dabei konnten erstmals Dickenuniformitäten im 2 %-Bereich erzielt werden. Oberflächenanalytische Untersuchungen ergaben eine Stickstoffkonzentration um 7 % an der Si/SiO2-Grenzfläche und eine wesentlich geringere Konzentration im SiO2-Volumen. Unter elektrischem Streß zeigten MOS (Metal Oxide Semiconductor)-Kondensatoren mit nitridiertem Gateoxid eine hohe Zuverlässigkeit.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-32775.html