Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Photoluminescence optimization and characteristics of the rare-earth element erbium implanted in GaAs, InP, and GaP

 
: Haydl, W.H.; Pomrenke, G.S.; Ennen, H.

:

Journal of applied physics 59 (1986), Nr.2, S.601-610 : Abb.,Tab.,Lit.
ISSN: 0021-8979
ISSN: 1089-7550
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
Defektkomplex; Erde(selten implantiert); III-V Halbleiter; Infra 4f-Uebergang; Infrarotemission; Photolumineszenz-Untersuchung

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-28413.html