Fraunhofer-Gesellschaft

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7.4 Gbit/s monolithically integrated GaAs/AlGaAs laser diode-laser driver structure.

Monolithisch integrierte GaAs/AlGaAs Laser-Lasertreiber-Struktur bis 7.4 Gbit/s
 

:

Electronics Letters 29 (1993), Nr.19, S.1694-1695 : Abb.,Lit.
ISSN: 0013-5194
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
Halbleiterlaser; integrated circuit; integrierte Schaltung; optical communication; optische Kommunikation; semiconductor laser

Abstract
A molecular beam epitaxy (MBE) grown (GaAs/AlGaAs multiquantum well laser, monolithically integrated with a laser driver, was realised on 2 inch GaAs substrate wafers. In an optical data communication setup, performance up to data rates of 7.4Gbit/s was demonstrated.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-2812.html