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1986
Conference Paper
Titel
Pb1-XEuXSe for IR device applications
Abstract
Pb tief 1-xEu tief xSe ist ein vielversprechendes Material fuer optoelektronische Bauteile im Infraroten. Die Bandluecke variiert stark mit dem Europiumgehalt. Gleichzeitig bleibt die Gitterkonstante kaum veraendert. Das macht das Material gut geeignet fuer MBE-Heterostrukturen. (IPM)
Author(s)
Language
English