Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Pb1-XEuXSe for IR device applications

 
: Norton, P.; Bachem, K.H.; Tacke, M.

Besson, J. ; Association Nationale de la Recherche Technique -ANRT-; Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers -SPIE-, Bellingham/Wash.:
Materials Technologies for IR Detectors
Bellingham/Wash.: SPIE, 1986 (Proceedings of SPIE 659)
ISBN: 0-89252-694-7
Meeting on IR detectors materials <1986, Innsbruck>
International Symposium on Optical and Optoelectronic Applied Science and Engineering <3, 1986, Innsbruck>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IPM ()
Heterostruktur; IR-Bauelement; MBE

Abstract
Pb tief 1-xEu tief xSe ist ein vielversprechendes Material fuer optoelektronische Bauteile im Infraroten. Die Bandluecke variiert stark mit dem Europiumgehalt. Gleichzeitig bleibt die Gitterkonstante kaum veraendert. Das macht das Material gut geeignet fuer MBE-Heterostrukturen. (IPM)

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-28093.html