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Optoelektronisches Bauelement, insbesondere eine Laserdiode oder eine Leuchtdiode

Optoelectronic component, in particular a laser diode or a light-emitting diode
 
: Ennen, H.; Schneider, J.

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DE 1982-3245979 A1: 19821211
DE 1983-3344138 A: 19831207
DE 3344138 A1: 19840614
H01S0003
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Eine Laserdiode oder eine Leuchtdiode verfuegt ueber einen Halbleiterkristall, der mit Lanthaniden (4f-Ionen) dotiert ist. Durch Dotierung von InP, GaAs, GaP, Si und Ge mit Lanthaniden kann bei einer Leuchtdiode inkohaerente und bei einer Laserdiode kohaerente Strahlung erzeugt werden, die langwelliger liegt als der Bandabstand des Wirtskristalls und deren Wellenlaenge primaer durch das 4f-Ion (Lanthanid) und nicht durch den Bandabstand des Halbleiters bestimmt ist. Bei einer Dotierung mit Erbium ergibt sich fuer das Halbleiterbauelement eine Emissionswellenlaenge von 1,54 mym, die in etwa mit der Wellenlaenge fuer die minimale Daempfung einer Glasfaser uebereinstimmt, wie sie fuer die Glasfaserkommunikation verwendet wird.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-27651.html