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Title
Optoelektronisches Bauelement, insbesondere eine Laserdiode oder eine Leuchtdiode
Date Issued
1984
Author(s)
Ennen, H.
Schneider, J.
Patent No
1982-3245979
Abstract
Eine Laserdiode oder eine Leuchtdiode verfuegt ueber einen Halbleiterkristall, der mit Lanthaniden (4f-Ionen) dotiert ist. Durch Dotierung von InP, GaAs, GaP, Si und Ge mit Lanthaniden kann bei einer Leuchtdiode inkohaerente und bei einer Laserdiode kohaerente Strahlung erzeugt werden, die langwelliger liegt als der Bandabstand des Wirtskristalls und deren Wellenlaenge primaer durch das 4f-Ion (Lanthanid) und nicht durch den Bandabstand des Halbleiters bestimmt ist. Bei einer Dotierung mit Erbium ergibt sich fuer das Halbleiterbauelement eine Emissionswellenlaenge von 1,54 mym, die in etwa mit der Wellenlaenge fuer die minimale Daempfung einer Glasfaser uebereinstimmt, wie sie fuer die Glasfaserkommunikation verwendet wird.
Language
de
Patenprio
DE 1982-3245979 A1: 19821211