Fraunhofer-Gesellschaft

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1.54-micro m electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.

Elektrolumineszenz von Erbium-dotiertem Silizium bei 1.54 micro m, aufgewachsen mittels Molekularstrahlepitaxie
 
: Pomrenke, G.; Axmann, A.; Schneider, J.; Eisele, K.M.; Haydl, W.H.; Ennen, H.

:

Applied Physics Letters 46 (1985), Nr.4, S.381-383 : Abb.,Lit.
ISSN: 0003-6951 (Print)
ISSN: 1077-3118
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
Erbium; pn-Diode(elektrolumineszierend); Silizium

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-2710.html