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Monte-Carlo-Simulationen genauer Analogschaltungen in GaAs-HEMT-Technologie

: Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.

	Scarbata, G. ; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-, Fachgruppe CAE; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-, Fachausschuß 7.3 Elektromagnetische Verträglichkeit: Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden mit dem Schwerpunkt Analoge Systemtechnik 1993. 2. Diskussionssitzung Frankfurt/Main: GME, 1993 ISSN: 0944-3819 S.300-305
	Diskussionssitzung Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden <2, 1993, Ilmenau>

	Deutsch
	Konferenzbeitrag
	Fraunhofer IIS A ( IIS) ()
	DAC; DAU; Digital-Analog-Umsetzung; digital to analog converter; Gallium Arsenid; gallium arsenide; Monte Carlo simulation; simulation; simulation model; Simulationsmodell

Abstract
In dieser Arbeit werden Monte-Carlo-Simulationen an den Analogschaltungen aus 0,5 mu m GaAs-E/D-HEMT-Technologie durchgeführt, die aus zwei Gruppen: 1. zwei Stromquellen und ein 8 Bit Digital/Analog-Umsetzer (DAU) und 2. ein von Raytheon entwickelte empirische Modell verwendet. Die Transistorparameter und ihre lokalen Schwankungen werden durch Transistormessungen statistisch bestimmt. Durch die eingehende Untersuchung wird gezeigt, daß die Genauigkeit und Ausbeute dieser Analogschaltungen durch die Monte-Carlo-Simulation mit dem Transistormodell abgeschätzt werden kann.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-25118.html