Fraunhofer-Gesellschaft

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Modulation bandwidths up to 30 GHz under CW bias in strained In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers with p-doping.

Modulator-Bandbreite bis 30 GHz im Dauerstrich-Betrieb mit verspannten In0.35Ga0.65As/GaAs p-dotierten MQW Lasern
 

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
13th IEEE International Semiconductor Laser Conference. Paper PD-5
New York/N.Y., 1992
S.9-10 : Abb.,Lit.
International Semiconductor Laser Conference <13, 1992, Takamatsu>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
high-speed optoelectronic; Hochgeschwindigkeitsoptoelektronik; MWQ-laser; strained QW's; verspannte QW's

Abstract
We demonstrate p-type modulation-doped strained- layer Insub0.35Gasub0.65As/GaAs multiple quantum well lasers which achieve 3-dB direct modulation bandwidths up to 30 GHz in a simple 3x200 Myqm mesa structure, under DC bias conditions and at a heat- sink temperature of 25 degree C.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-24813.html