Fraunhofer-Gesellschaft

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Methoden zur Herstellung konvexer Ecken beim anisotropen Ätzen von 100-Silicium in wässriger KOH Lösung

 
: Offereins, H.L.; Kühl, K.; Sandmaier, H.

1. Symposium Mikrosystemtechnik. Tagungsband
1991
Mikrosystemtechnik <1, 1991, Regensburg>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IFT; 2000 dem IZM eingegliedert
Ätztechnik; Eckenkompensation; KOH; Mikromechanik

Abstract
Es werden die Grundlagen zur Herstellung komplexer mikromechanischer Bauelemente für die anisotrope Ätztechnik in wässriger KOH-Lösung aufgezeigt. Die schnellabtragenden Ätzfronten, die beim anisotropen Ätzen von (100)-Silicium an konvexen Ecken einer Struktur auftreten, bestimmen deren minimale laterale Abmessungen. Durch eine spezielle Meßmethode lassen sich die Ebenen der Ätzfronten identifizieren. Es handelt sich um (411)-Ebenen. Die Ätzrate dieser Ebenen, bezogen auf die Ätzrate der (100) - Ebenen, wird mit steigender KOH-Konzentration kleiner. Die Abhängigkeit dieses Ätzratenverhältnisses von der Temperatur kann dagegen im relevanten Bereich zwischen 60 Grad C und 100 Grad C vernachlässigt werden. Auf der Grundlage dieser Ergebnisse wurden Maskenstrukturen entwickelt, die zur Kompensation der Unterätzung bei sehr engen Konturen geeignet sind. Diese können umlaufende V-Gräben oder Strukturen mit einem sehr kleinen Verhältnis zwischen lateraler Ausdehnung und Ätztiefe sein.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-23783.html