Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Materials and device characteristics of single and double sided delta-doped pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs high electron mobility transistors.

Material und Bauelement Charakteristika von einseitig und doppelseitig delta-dotierten InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs HEMT-Strukturen
 

Hayes, J.R. ; Materials Research Society -MRS-:
Electronic, optical and device properties of layered structures. Proceedings of Symposium B, 1990 Fall Meeting of the Materials Research Society
Pittsburgh, Pa.: MRS, 1990 (Materials Research Society. Extended abstracts 21)
S.305-308 : Abb.,Lit.
Materials Research Society (Fall Meeting) <1990, Boston/Mass.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
heterostructure; Heterostruktur; III-V Bauelementeigenschaft; III-V device properties; III-V material properties; III-V Materialeigenschaft

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-22967.html