Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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The lateral-extension of radiation damage in ion-implanted semiconductors.

Seitliche Ausdehnung des Strahlungsschadens in ionenimplantierten Halbleitern
 
: Fritzsche, C.R.; Rothemund, W.

Applied physics. A (1983), Nr.32, S.129-134 : Abb.,Tab.,Lit.
ISSN: 0340-3793
ISSN: 0721-7250
ISSN: 0947-8396
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
Galliumarsenid; Galliumphosphid; implantation; Packungsfehler; Rasterelektronenmikroskop; Rekristallisation; Schicht(amorph); Silizium; Strahlungsschaden

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-21774.html