Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Laser emission in indirect-gap AlxGa1-xAs

Laser-Emission von AlxGa1-xAs mit indirekter Bandlücke
 
: Westphäling, R.; Wörner, A.; Kalt, H.; Köhler, K.

Lockwood, D.J.:
22nd International Conference on the Physics of Semiconductors 1995. Vol. 1
Singapore: World Scientific, 1995
ISBN: 981-02-2978-X
S.301-304 : Abb.,Lit.
International Conference on the Physics of Semiconductors <22, 1995, Vancouver>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
III-V Halbleiter; III-V semiconductors; optical properties; optische Eigenschaft

Abstract
For the first time we demonstrate optically pumped laser emission up to room temperature related to elctrone-hole-recombination at the indirect fundamental bandgap in Aldeepx Gadeep1-x As.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-21530.html