Fraunhofer-Gesellschaft

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Integration von HF-Bauelementen in einem CMOS-SIMOX-Prozeß

 
: Barthel, W.; Budde, W.; Eggert, D.; Hübler, P.; Hürrich, A.; Kück, H.; Oberschmidt, G.; Raab, M.; Zimmer, G.

Barke, E. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-:
Mikroelektronik '95 : Vorträge der GME-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1995 (GME-Fachbericht 15)
ISBN: 3-8007-2085-X
S.39-44
VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik (Fachtagung) <1995, Baden-Baden>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
CMOS-Technik; Koplanarleitung; Mikrowellenbauelement; Mikrowellentransistor; passives Bauelement; SIMOX; Submikrometerbereich

Abstract
Die Verwendung von hochohmigen SIMOX-Substraten bietet die Möglichkeit der Herstellung von Transistoren und passiven Bauelementen für den HF- und Mikrowellenbereich in einer Technologie, die nur Standard-CMOS-Prozeßschritte benutzt. Durch systematische Minimierung der parasitären Kapazitäten und Zuleitungswiderstände sowie Kanallängen im Sub-Mikrometerbereich werden Transistoren großer Steilheit - geeignet für Signalfrequenzen bis in den Mikrowellenbereich - realisiert. Damit stellt die CMOS-Technologie auf hochohmigen SIMOX-Substraten im unteren Gigaherztbereich eine interessante Alternative zu den III/V-Technologien dar und bietet den Vorteil der Realisierung von VLSI-Schaltkreisen mit integrierten schnellen digitalen und HF-Funktionen in CMOS-Schaltungstechnik für die Anwendungsgebiete Mobil- und Satellitenfunk und schnelle ICs für die Computertechnik.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-19285.html