Fraunhofer-Gesellschaft

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Influence of Si segregation on the two-dimensional electron gas mobility of inverted HEMT structures.

Einfluß der Si-Segregation auf die Beweglichkeit des 2-dimensionalen Elektronengases invertierter HEMT-Strukturen
 
: Hiesinger, P.; Jantz, W.; Köhler, K.; Maier, M.

Vacuum 42 (1991), Nr.12, S.745-748 : Abb.,Lit.
ISSN: 0042-207X
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
inverted HEMT; invertierter HEMT; Si-Segregation; SIMS depth profiling; SIMS-Tiefenprofilbestimmung

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-18502.html