Fraunhofer-Gesellschaft

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GaAs-Technologie - Stand und Tendenzen. Tl.1

GaAs technology - status and trends
 
: Diehl, R.

Radio Fernsehen Elektronik 41 (1992), Nr.7, S.471-473
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
GaAs; GaAs-Bauelement; GaAs device; GaAs system application; GaAs Systemanwendung; GaAs wafer production; GaAs-Waferherstellung; microwave sensor; Mikrowellensensorik; ulfrafast data processing; ultraschnelle Datenverarbeitung

Abstract
GaAs ist derzeit wohl profilierteste Vertreter der Gruppe der sog. III-V-Verbindungshalbleiter. Bei diesen handelt es sich um Verbindungen der Elemente Aluminium (AI), Gallium (Ga) und Indium (In) aus der III. Gruppe der Periodensystems der Elemente mit den Elementen Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) aus der V. Gruppe. Bauelemente aus dieser Materialkombination zeichnen sich u.a. durch eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit aus. In diesem Beitrag wird der aktuelle technische Stand de GaAs-Technik beschrieben.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-15644.html