Fraunhofer-Gesellschaft

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Fluxgate-Sensor in CMOS-kompatibler Planartechnologie

 
: Sauer, B.; Haase, T.; Gottfried-Gottfried, R.

Sessler, G. ; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-:
Sensoren, Technologie und Anwendung 1994. Vorträge der ITG-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1994 (ITG-Fachbericht 126)
ISBN: 3-8007-1988-6
S.441-446
Fachtagung Sensoren, Technologie und Anwendung <7, 1994, Bad Nauheim>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
CMOS-Technik; Fluxgate-Magnetfeldsensor; Förstersonde; Magnetfeldmessung; magnetisches Bauelement; Magnetometer; Meßaufnehmer; Saturationskernmagnetometer

Abstract
Ein hochempfindlicher Fluxgate-Magnetfeldsensor (Saturationskernmagnetometer) wurde erstmalig vollständig in Silicium-Planartechnologie realisiert. Die Fertigung in einem konventionell verfügbaren 1,5fm CMOS-Prozeß mit nur einem Zusatzschritt (CMOS-verträglich) erlaubt die monolithische Integration der Ansteuer- und Auswerteelektronik des Sensors auf dem gleichen Chip. Die vom Sensorelement benötigte Chipfläche von nur 0,5mm2 eröffnet neue Möglichkeiten zur Realisierung ebener und räumlicher Multisensoranordnungen mit einer von klassischen Fluxgate-Sensoren nicht erreichbaren örtlichen Auflösung. Potentielle Anwendungen findet der Sensor in der Magnetfeldmessung, in elektronischen Kompaßsystemen, der potentialfreien Strommessung oder auf dem Gebiet der nichtzerstörenden Materialprüfung.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-14882.html