Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Feldeffekttransistor

Field effect transistor
 
: Smith, R.; Wennekers, P.

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Frontpage ()

DE 1987-3728136 A: 19870822
DE 1987-3728136 A: 19870822
DE 3728136 C2: 19890524
H01L0029
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Ein Feldeffekttransistor verfuegt ueber ein Substrat (1), auf dem eine undotierte Gallium-Arsenid-Schicht (2) aufgebracht ist. Als naechste Schicht folgt eine gut leitende Schicht (3) aus Erbium-Arsenid bzw. Ytterbium-Arsenid. Die vierte Schicht der Schichtenfolge besteht aus einer duennen undotierten Gallium-Arsenid-Schicht (4), auf der Metallstreifen (5, 6, 7) zur Bildung der Sourceelektrode, Gateelektrode und Drainelektrode aufgedampft sind.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-14124.html