Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Excitonic transitions in quantum wells composed of either binary or ternary III-V semiconductors grown by molecular beam epitaxy

 

Institute of Physics, Bristol:
Gallium arsenide and related compounds 1985. Proceedings
London, 1986 (Institute of Physics - Conference Series 79)
ISBN: 0-85498-170-5
S.457-462 : Abb.,Lit.
International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds <12, 1985, Karuizawa>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
Halbleiter; quantum wells; Übergang(excitonisch)

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-13388.html