Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.

Nachweis von amphoterischem Verhalten des Si in InP, das mit Dampfphasenepitaxie hergestellt wurde
 
: Pomrenke, G.S.

Journal of Crystal Growth (1983), Nr.64, S.158-164 : Abb.,Lit.
ISSN: 0022-0248
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
Akzeptor; Dampfphasenepitaxie; Donator; Eindringtiefe; Indiumphosphid; Ionisationsenergie; Photolumineszenz; Selbstkompensation; Silizium; Übergang; Ultraviolettanregung

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-13330.html