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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten. Entwurf von GaAs-MESFET-Analogschaltern für Abtastschaltungen
| Glesner, M. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-; Gesellschaft für Informatik -GI-, Bonn:
Rechnergestützter Entwurf und Architektur mikroelektronischer Systeme. Vorträge ITG-Fachtagung 1992
Berlin: VDE-Verlag, 1992 (ITG-Fachbericht 122)
ISBN: 3-8007-1905-3
S.103-112 |
| Informationstechnische Gesellschaft (Fachtagung) <1992, Darmstadt>
Fachtagung Rechnergestützter Entwurf und Architektur Mikroelektronischer Systeme <1992, Darmstadt> |
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| Deutsch |
| Konferenzbeitrag |
| Fraunhofer IIS A ( IIS) () |
| Abtastschaltung; circuit design; circuit theory; Gallium Arsenid; gallium arsenide; sampling circuit; Schalter; Schaltungsentwurf; Schaltungstheorie; switch |
Abstract
Bei der Entwicklung analoger Abtastschaltungen stellt der Schalter als Schlüsselkomponente hohe Anforderungen an Geschwindigkeit und Genauigkeit. Im vorliegenden Beitrag werden Charakterisierungs-und Entwurfsverfahren von GaAs-MESFET-Analogschaltern untersucht. Zu Beginn werden ein physikalisches passives Modell und ein verbessertes aktives Raytheon-Modell für Analogschalter vorgestellt. Die Ersatzschaltbildelemente des passiven Modells weisen eine AbhSngigkeit von den Gate-, Source- und Drainspannungen auf. Bei dem aktiven Modell wird zusStzlich der Leckstrom hervorgerufen durch Substrate- und OberflSchenverluste, berücksichtigt. Ausgehend von dem passiven Modell wird der LSngstransistorschalter bezüglich Eingangsspannungsbereich, Frequenzbereich, Schaltfehler und Schaltrauschen charakterisiert. Eine Schalterkonfiguration mit zwei Dummy-Transistoren wurde entwickelt. Die ²berprüfung durch HSPICE-Simulationen zeigt, dass diese Schaltung eine Verbesserung der Genauigkeit enthSlt.