Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Entwicklung halbleitender Diamantschichten

 
: Güttler, H.; Flöter, A.; Kohn, E.; Gluche, P.; Jiang, X.; Klages, C.P.; Dollinger, G.; Bergmaier, A.; Wittdorf, D.; Jäger, W.

Kempter, K.; Haußelt, J. ; Deutsche Gesellschaft für Materialkunde e.V. -DGM-, Oberursel:
Werkstoffwoche '98. Bd.1: Symposium 1: Werkstoffe für die Informationstechnik. Symposium 12: Mikrosystemtechnik
Weinheim: Wiley-VCH, 1999
ISBN: 3-527-29938-6
S.189-194 : Ill., Lit.
Werkstoffwoche <2, 1998, München>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IST ()

Abstract
Der Einsatz von Diamantschichten für elektronische Bauelemente, wie z. B. Transistoren, Sensoren, Mikroaktoren, UV- oder Teilchendetektoren, erfordert die Herstellung hochwertiger Diamantschichten mit geringer Oberflächenrauheit, niedriger Defektdichte und geringer Hintergrunddotierung. Diese Anforderungen werden von hochorientierten Diamantschichten erfüllt. Wettbewerbsfähige Kosten bei der Herstellung diamantbasierender Bauelemente können nur bei Beherrschung der in der Mikroelektronik üblichen Beschichtungsflächen, Schichtddicken und Bearbeitungsverfahren erreicht werden. In diesem Beitrag wird ein Überblick über strukturelle und funktionelle Eigenschaften hochorientierter (heteroepitaktischer) Diamantschichten und den Stand der Anwendungsmöglichkeiten in mikroelektronischen Bauelementen gegeben.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-12426.html