Fraunhofer-Gesellschaft

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Entwicklung eines BICMOS-Smart-Power-Prozessor in lokaler SIMOX-Technologie

 
: Weyers, J.; Rost, W.; Vogt, H.

:

Electrical engineering 79 (1996), S.335-341 : Lit.
ISSN: 0003-9039
ISSN: 0948-7921
Deutsch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IMS ()
CMOS-Technik; Leistungselektronik; Leistungstransistor; Smart-power-Technik

Abstract
Im vorliegenden Artikel wird die Entwicklung eines neuen 50 V-BiCMOS-Smart-Power-Prozesses beschrieben. Dieser beinhaltet die monolithische Integration von dielektrisch isolierten 1.5 Mikrometer CMOS-Transistorten, NPN/PNP-Bipolatransistoren, 50 V vertikalen/quasivertikalen DMOS-Leistungstransistoren (VDMOS, QVDMOS), Poly-n+-Kondensatoren, Zener-Dioden, implantierten Widerständen sowie Zweilagen-Metallisierung. Die laterale dielektrische Isolation der Bauelemente wird durch senkrecht geätzte, 1.2 Mikrometer breite Gräben, die oxidiert und aufgefüllt werden, hergestellt. Die vertikale dielektrische Isolation geschieht mittels SIMOX-Technologie.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-12363.html