Fraunhofer-Gesellschaft

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Emitter-base electron transport in GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors and tunnel emitter bipolar transistors.

Emitter-Basis-Elektronen-Transport in GaInP/GaAs Heterobipolartransistoren und Tunnel-Emitter-Bipolartransistoren
 
: Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Lauterbach, T.; Shur, M.

International Symposium "Semiconductor Device Research Symposium"
1991
S.721-724 : Abb.,Lit.
Semiconductor Device Research Symposium <1991, Charlottesville/Va.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
activation energy; Aktivierungsenergie; collector current; Gleichstromkennlinie; HBT; heterojunction bipolar transistor; I-V-characteristic; Kollektorstrom; TEBT; tunnel emitter bipolar transistor

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-11977.html