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Einrichtung zum Aufbringen elektrisch schlecht leitender oder isolierender Schichten durch reaktives Magnetronsputtern

 
: Gottfried, C.; Walde, H.; Frach, P.; Heisig, U.

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DE 1992-4223505 A: 19920717
DE 1992-4223505 A: 19920717
DE 4223505 C1: 19931104
H05H0001
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Einrichtung zum Aufbringen elektrisch schlecht leitender oder isolierender Schichten durch reaktives Magnetronsputtern. Die bekannten Magnetrons fuehren oft zu Defekten oder Droplets in den aufgebrachten Schichten, bedingt besonders durch Ueberschlaege, d. h. Bogenentladungen. Der Prozessablauf ist instabil. Es soll das Entstehen der Bogenentladungen stark reduziert werden und der Aufwand dazu gering sein. Erfindungsgemaess wird die Anode ausserhalb des Plasmaschirmes isoliert angeordnet, der das Plasma begrenzt. Zwischen der Anode und dem Plasmaschirm ist ein Abstand von < 6 mm. Alle Teile, ausser Target, die mit dem Plasma in Beruehrung kommen, sind einzeln oder gemeinsam dem Anodenpotential gegenueber angeordnet. Vorzugsweise wird die Erfindung zur Herstellung optischer Schichten auf Glas oder Verschleissschutzschichten angewendet.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-11193.html