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Einfluß des Gatestreufeldes und der Oberflächentopologie auf das statische Kennlinienverhalten von sub-fm-LDD-MOSFETs

 
: Hürrich, A.

Charakterisierung und Modellierung von Halbleiterbauelementen mit Sub-Mikrometer-Strukturen und/oder extrem hohen Operationsgeschwindigkeiten : Sammlung der Kurzfassungen
Duisburg, 1992
Diskussionssitzung "Charakterisierung und Modellierung von Halbleiterbauelementen mit Sub-Mikrometer-Strukturen und/oder extrem hohen Operationsgeschwindigkeiten" <1992, Schwäbisch-Hall>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
CMOS-Technik; Finite-Elemente-Methode (FEM); Kurzkanal-FET; simulator; Strom-Spannungs-Kennlinie; Topologie

Abstract
Es wird das Kennlinienverhalten eines in CMOS-Technologie hergestellten LDD-MOSFETs mit Leff=0.65 mym mittels 2D-Prozess- und Devicesimulation mit den FEM-Programmen DIOS und TOSCA untersucht. Ausgehend von einem einheitlichen Dotantenprofil werden drei Varianten der Devicesimulation verglichen: 1. Einbeziehung des Oxidrandgebietes unter Beachtung der Oberflächentopologie. 2. Einbeziehung des Oxidrandgebietes für planare Oberflächen. 3. Rechnung nur im Silicium-Substrat, aber Berücksichtigung der Oberflächentopologie. Die Ergebnisse zeigen, dass die Ausgangs- bzw. Transferkennlinien nur wenig differieren, die Substratstromkennlinien und die Feldstärkeverteilung dagegen sich stärker unterscheiden, wobei insbesondere der qualitative Verlauf der Substratstromkennlinie in den Varianten 2 und 3 verändert ist. Dies wird auf das Fehlen des Feldstärkemaxismus an der Si/SiO2-Grenzfläche (Variante 2) bzw. auf die Vernachlässigung der Streufelder (Variante 3) zurückgeführt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-10927.html