Fraunhofer-Gesellschaft

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Effect on non-ideal delta doping layers in Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As pseudomorphic heterostructures

Die Wirkung nicht-idealer Delta-Dotierungsschichten in pseudomorphen Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As Heterostrukturen
 

Rupprecht, H.S.; Weimann, G.:
Gallium arsenide and related compounds 1993. Proceedings
Bristol: IOP Publishing, 1994 (Institute of Physics - Conference Series 136)
ISBN: 0-7503-0295-X
S.427-432
International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds <20, 1993, Freiburg/Brsg.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
DLTS; Hall carrier concentration; Hall Ladungsträger Konzentration; InGaAs heterostructure; InGaAs Heterostruktur; Si delta doping layer; Si delta-Dotierungsschicht

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-10645.html