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Elektronisches System und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen elektronischen Systems

Method for manufacturing three-dimensional electronic system, involves providing integrated circuit structure in substrate, where integrated circuit structure has contact face on main side of substrate
 
: Ramm, P.; Klumpp, A.

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DE 102007044685 A: 20070919
DE 102007044685 A: 20070919
H01L0021
H01L0025
Deutsch
Patent
Fraunhofer IZM-M

Abstract
(B3) Ein Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen elektronischen Systems umfasst: ein Bereitstellen einer ersten integrierten Schaltungsstruktur in einem ersten Substrat (110), wobei die erste integrierte Schaltungsstruktur eine Kontaktflaeche (150) an einer ersten Hauptseite (117) des ersten Substrats (110) aufweist; ein Bereitstellen eines zweiten Substrats (210) mit einer Hauptseite (215); ein Bilden eines vertikalen Kontaktbereichs (240) in dem zweiten Substrat (210). Daran anschliessend umfasst das Verfahren ein Bilden einer Halbleiterschicht (212) auf der Hauptseite (215) des zweiten Substrats (210); ein Bilden eines Halbleiterbauelements einer zweiten integrierten Schaltungsstruktur in dem zweiten Substrat (210) mit der Halbleiterschicht (212); ein Entfernen von Substratmaterial von einer der Hauptseite (215) gegenueberliegenden Seite (217) des zweiten Substrats (210), so dass der vertikale Kontaktbereich (240) an der gegenueberliegenden Seite (217) elektrisch freigelegt wird; ein aufeinander Anordnen des ersten und zweiten Substrats (110, 210) unter Ausrichtung des vertikalen Kontaktbereichs (240) mit der Kontaktflaeche (150), so dass ein elektrisches Verbinden zwischen der ersten und zweiten integrierten Schaltungsstruktur ueber den vertikalen Kontaktbereich (240) und der Kontaktflaeche (150) hergestellt wird.

 

WO 2009036969 A1 UPAB: 20090409 NOVELTY - The method involves providing an integrated circuit structure in a substrate (110), where the integrated circuit structure has a contact surface (150) on a main side (117) of the substrate. Another substrate (210') with another main side (215) is provided. A vertical contact region (240) is formed in the latter substrate. A semiconductor layer is formed on the main side of the latter substrate. The substrate material is removed from a side (217) of the latter substrate that is opposite the main side, so that the vertical contact region is electrically exposed on the opposite side. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for an integrated electronic switching arrangement for a three-dimensional electronic system. USE - Method for manufacturing a three-dimensional electronic system. ADVANTAGE - The substrate material is removed from a side of the substrate that is opposite the main side, so that the vertical contact region is electrically exposed on the opposite side, and hence increases the component density and switching speed of the electronic system.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-95859.html