Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Gate-recessed AlGaN/GaN based enhancement-mode high electron mobility transistors for high frequency operation

Gate-Recess AlGaN/GaN basierte enhancement-mode High Electron Mobility Transistoren für Hochfrequenzanwendungen
 
: Maroldt, S.; Haupt, C.; Pletschen, W.; Müller, S.; Quay, R.; Ambacher, O.; Schippel, C.; Schwierz, F.

:

Japanese journal of applied physics 48 (2009), Nr.4, Part 2, Art. 04C083, 3 S.
ISSN: 0021-4922
ISSN: 1347-4065
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
GaN; E-HEMT; high transconductance; hohe Steilheit; efficiency; Effizienz; microwave power amplifier; Mikrowellen-Leistungsverstärker

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-93939.html