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Verfahren zum Fertigen einer Silizium-Solarzelle mit einem selektiven Emitter sowie entsprechende Solarzelle

Method for producing silicon solar cell, involves producing porous silicon layer at lower partial zones of emitter surface not covered by etching barrier
 
: Hahn, G.; Haverkamp, H.; Raabe, B.

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Frontpage ()

DE 102007035068 A: 20070726
DE 102007035068 A: 20070726
H01L0031
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Es werden ein Verfahren zum Fertigen einer Silizium-Solarzelle mit einem selektiven Emitter und eine entsprechende Solarzelle vorgestellt. Das Verfahren umfasst die folgenden Verfahrensschritte: Erzeugen eines flaechigen Emitters (5) an einer Emitteroberflaeche eines Solarzellensubstrats (21); Aufbringen einer Aetzbarriere (25) auf erste Teilbereiche (7) der Emitteroberflaeche; Aetzen der Emitteroberflaeche in nicht von der Aetzbarriere (25) bedeckten zweiten Teilbereichen (9) der Emitteroberflaeche; Entfernen der Aetzbarriere (25) und Erzeugen von Metallkontakten (17) an den ersten Teilbereichen (7). Vorteilhafterweise wird waehrend des Verfahrens, insbesondere beim Aetzen der Emitteroberflaeche in den zweiten Teilbereichen, eine poroese Siliziumschicht erzeugt, die anschliessend aufoxidiert wird. Diese aufoxidierte poroese Siliziumschicht kann nachfolgend zusammen mit eventuell vorhandenem Phosphorglas (23) weggeaetzt werden. Das Verfahren bedient sich herkoemmlicher Siebdruck- und Aetztechnologien und ist somit kompatibel mit derzeitigen industriellen Fertigungsanlagen.

 

WO 2009013307 A2 UPAB: 20090220 NOVELTY - The method involves producing a two-dimensionally extending emitter (5) at an emitter surface of a solar cell substrate (21). A porous silicon layer (27) is produced at lower partial zones (9) of the emitter surface which is not covered by an etching barrier (25). The porous silicon layer is oxidized and back-etched. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for silicon solar cell. USE - Method for producing silicon solar cell. ADVANTAGE - The emitter with low-doped concentration can be obtained. Thus, the manufacturing cost can be reduced and the solar cell with high efficiency can be produced. DE 102007035068 A1 UPAB: 20090213 NOVELTY - The method involves producing laminar emitter (5) at an emitter surface of a solar cell substrate (13) and applying a corroding barrier on sub range (7) of the emitter surface. The emitter surface is corroded in the from of corroding barrier covering another sub range (9) of the emitter surface. The corroding barrier is removed and metallic contacts (17) are produced at the former sub range. The emitter surface produces the porous silicon layer and oxidizes the porous silicon layer. The laminar emitter is produced by phosphorus chloride oxide gas phase diffusion. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a silicon solar cell. USE - Method for manufacturing a silicon solar cell with a selective emitter. ADVANTAGE - The emitter surface is corroded in the from of corroding barrier covering sub range of the emitter surface and corroding barrier is removed and metallic contacts are produced at another sub range, and hence ensures a method that is economical and is highly efficient.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-91358.html