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Verfahren zur Herstellung von Substraten

Method for manufacturing substrates, involves guiding connection of front side of substrate upto its rear side reaches from recess upto predetermined gap of area of substrate disturbed by abrasive material removal
 
: Drabe, C.

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Frontpage ()

DE 102007030241 A1: 20070622
DE 102007039754 A: 20070817
H01L0021
H01L0023
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IPMS ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Substraten, beispielsweise als Halbleitersubstrate. Dabei ist es Aufgabe der Erfindung Moeglichkeiten zur Verfuegung zu stellen, mit denen Substrate kostenguenstig herstellbar sind, und mit denen eine Beeintraechtigung des Substratwerkstoffs vermeidbar ist. Beim erfindungsgemaessen Verfahren soll eine Verbindung von einer Vorderseite des Substrates durch das Substrat hindurch bis zu seiner Rueckseite gefuehrt werden. In das Substrat wird mindestens eine Vertiefung von der Vorderseite des Substrates mit einer vorgebbaren Mindesttiefe durch ein Aetzverfahren ausgebildet. Dann wird die Vertiefung(en) mit einem Stoff ausgefuellt und/oder die Innenwand der Vertiefung(en) wird/werden vollflaechig mit einer elektrisch isolierenden Beschichtung versehen und dann mit einem Stoff ausgefuellt. Anschliessend wird ausgehend von der Rueckseite des Substrates dessen Dicke mechanisch durch abrasiven Stoffabtrag soweit reduziert wird, bis ein vorgebbarer Abstand des durch den abrasiven Stoffabtrag gestoerten Bereichs des Substrats von der Vertiefung erreicht ist und im Anschluss daran durch nasschemisches Aetzen in zwei bis vier Stufen mit zwei voneinander verschiedenen Aetzfluessigkeiten zuerst Substratwerkstoff und dann Stoff und/oder elektrisch isolierender Beschichtungswerkstoff entfernt werden bis mindestens die in Richtung Rueckseite des Substrats weisende Stirnflaeche der Vertiefung(en) freigelegt ist. In den zwei Stufen werden ...

 

DE 102007039754 A1 UPAB: 20090114 NOVELTY - The method involves guiding a connection of a front side of a substrate (1) upto its rear side. The connection reaches from a recess upto a predetermined gap of an area of the substrate disturbed by an abrasive material removal. The substrate material and an electrical insulation layer material (2) are removed by wet chemical etching in two steps with two different etching fluids. The front surface of the recess is exposed in the direction of the rear side of the substrate. USE - Method for manufacturing substrates. ADVANTAGE - The method involves guiding a connection of a front side of the substrate upto its rear side and the connection reaches from a recess upto a predetermined gap of an area of the substrate disturbed by an abrasive material removal, and hence ensures economical manufacturing of substrates.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-91334.html